GB/T 45716-2025

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Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

Standard Type
GBT
ICS
31.080.01
CCS
L40
Status
现行
Issue Date
2025-05-30
Implementation
2025-09-01
Responsible Dept
工业和信息化部（电子）
Drafting Unit
N/A