GB/T 2900.66-2004

📋 Scope / 适用范围 ai_extracted

GB/T 2900的本部分界定了半导体技术、半导体设计和半导体类型的通用术语。

📝 Foreword / 前言 ai_extracted

GB/T 2900的本部分等同采用IEC 60050-52卜2002《国际电工词汇 第521部分：半导体器件和 集成电路》。 本部分等同翻译IEC 60050-521:2002. 为了便于使用，本部分做了下列编辑性修改： “本国际标准”一词改为“本部分”； 删除国际标准的前言和说明。 本标准中术语编号与IEC 60050-808:2002保持一致。 本标准由全国电工术语标准化技术委员会提出。 本标准由全国电工术语标准化技术委员会归口。 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究所（CESI)、机械科学研究院。 本标准主要起草人：赵英、顾振球、杨芙、罗发明、刘春勋、陈裕馄。 GB/T 2900.66-2004/IEC 60050-521:2002 电工术语 半导体器件和集成电路

📚 References & Relations / 引用与关联

📖 Terms & Definitions / 术语和定义 ai_extracted

半导体材料特性

521-02-01 半导体semiconductor 两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外 部条件改变而变化。 521-02-02 单元素半导体si ngle-element semiconductor 在纯净状态下，由单一元素组成的半导体。 521-02-03 化合物半导体 compound semiconductor 在纯净状态下，由几种元素组成的半导体，各元素的比例关系接近于它们的化学配比。 521-02-04 杂质 impurity 单元素半导体中的其他元素的原子；化合物半导体中的其他元素的原子或与化合物半导体晶体理 想配比成分相比多出或缺少的原子。 521-02-05 杂质激活能 impurity activation energy 由杂质引起的中间能级与相邻能带之间的间隙。 521-02-06 离子半导体 ionic semiconductor 由离子流动引起的电导率大于电子和空穴的运动引起的电导率

半导体材料工艺

521-03-01 直拉生长（单晶的）growing by pulling(of a single crystal) 切克劳斯基法生长 growing by Czechralski s method 从熔体中逐渐提拉生长晶体来制备单晶。 521-03-02 区熔生长（单晶的）growing by zone melting (of a single crystal) 使熔区首先通过单晶的籽晶部分，然后通过与籽晶紧靠在一起的多晶半导体材料，借助于单晶体的 籽晶来制备单晶。 521-03-03 区熔提纯zone refining 让一个或多个熔区通过半导体晶体，用以减少晶体中的杂质浓度。 521-03-04 区熔夷平 zone l evelling 让一个或多个熔区通过半导体晶体，使晶体中杂质均匀分布。 GB/T 2900.66-2004/IEC 60050-521:2002 521-03-05 掺杂（

半导体器件类型

521-04-01 半导体器件semiconductor device 其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。 注：该定义包括基本特性仅部分地由于载流子在半导体中流动产生的器件，从规范的角度考虑这些器件仍被认为 是半导体器件。 521-04-02 ［半导体〕分立器件discrete(semiconductor) device 被规定完成某种基本功能，并且其本身在功能上不能再细分的半导体器件。 注：在分立器件和集成电路之间不可能有清楚的界限。原则上，分立器件仅由单一的电路元件组成。然而，当作分 立器件出售和规范时器件内部可由多于一个电路元件组成。 521-04-03 ［半导体］二极管 （semiconductor) di ode 具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。 注：除非另有说明，此术语通常表示具有典型单一PN结电压一电流特性的器件。 521-04-04 信号二极管 signal di ode 用于从随时间变化