GB/T 19444-2004

📋 Scope / 适用范围 ai_extracted

本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处 理程序、试验步骤、数据计算等内容。 本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。

📝 Foreword / 前言 ai_extracted

本标准等同采用ASTMF1239 :1994《用间隙氧含量减少法测定硅片氧沉淀特性》。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责归口。 本标准由洛阳单晶硅有限责任公司和中国有色金属工业标准计量质量研究所起草。 本标准主要起草人：蒋建国、屠妹英、贺东江、章云杰。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会负责解释A GB／T 19444-2004 引 言 氧原子含量是表征直拉硅单晶性能的重要技术参数，其含量大小影响半导体器件的性能和成品率。 这一事实，早已引起了材料和器件研究者的极大关注，并进行了深人的研究。结果表明：器件工艺的热 循环过程使间隙氧发生沉淀现象。沉淀的氧有吸附体内金属杂质的能力，在硅片表面形成洁净层，从而 提高器件的性能和成品率。而氧的沉淀特性与原始氧含量的大小相关。因此，通过热循环的模拟试验， 获得硅片的氧沉淀特性，对硅单晶生产和硅器件的生产具有指导性作用。 GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定 一间隙氧含量减少法

📚 References & Relations / 引用与关联