GB/T 13151-2005

📝 Foreword / 前言 ai_extracted

本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括: — GB/T 6352 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100 A以下环境或 管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 — GB/T 659。半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100 A以下环境或 管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 — GB/T 13150 半导体器件 分立器件 电流大于100 A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管 空白详细规范 — GB/T 13151 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于100 A、环境 和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 — GB/T 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范 本标准等同采用IEC 60747-6-3:1993《半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇:电流 大于100 A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范》(英文版)。 本标准代替GB/T 13151-19918100 A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范》。 本标准等同翻译IEC 60747-6-3:1993. 为便于使用，本标准作了下列编辑性修改: a) “本国际标准”一词改为“本标准， ’ ; b) 引用的IEC标准一律改为等同或等效采用国际标准的国家标准; c) 为与本国“前言”区别，IEC的“前言”称， "IEC前言”; d) 在极限值表中补充了安装力矩和安装力的符号M 和F; e) 按照IEC标准中方括号的用法，将原文中“where appropriat”加不加括号和加圆括号、方括号 的不统一，统一成加方括号，即为“[适用时」”。 本标准(本版)与前版(GB/T 13151-1991)相比，主要变化如下: — 标准名称中增加了引导要素文字:“半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇”并作 了个别文字修改(前版的封面和首页;本版的封面和首页); — 增加了“前言”和， "IEC前言”，删去了“附加说明， ’ (前版的“附加说明”;本版的“前言”和“IEC前 言， ，); — 删去了第8章各表中的抽样方案及附录A追加抽样表，增加了对A,B,C,D组抽样要求的文 字说明(前版第8章各表和附录A;本版第8章方括号中的文字); — 在极限值参数表中，符号VR,VD,IT,di/dt分别修改为VRD, VDD , ITD, (d27 /dt ),,(前版第4章; 本版第4章); — 在电特性参数表中，增加了t-Q, IRM和‘四个特性参数;符号dv/dt修改为(dv./dt)o IRR. 和IDRM分别修改为IRRMI , IRRM:和IDRM1 , IDRM2 I(前版第5章;本版第5章); - A4分组中删去“t了项目、C2c分组中删去了di/dt项目;C4分组中增加了“耐焊接热”项目;B5 分组和C7分组修改为均按空腔、非空腔器件分别规定检验项目(前版第8章;本版第8章)。 本标准中引用的国家标准如下: GB/T 2423. 23-1995 电工电子产品环境试验 试验Q:密封 GB/T 4589. 1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范(i dt IEC 60747-10:1984) GB/T 4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法(idt IEC 60749:1984) I GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993 GB/T 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸(neq IEC 60191-2;1974) GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范(idt IEC 60747-11:1985) GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分 晶闸管(eqv IEC 60747-6:1983) 本标准由中国电器工业协会提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本标