GB/T 12962

📝 Foreword / 前言 ai_extracted

本标准的指标参照了国外有关标准(见参考文献)，结合我国硅材料的实际生产和使用情况，并考虑 国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行修订而成的。 本标准代替GB/T 12962-1996, 本标准与GB/T 12962-1996相比，有如下变动: — 删去了原标准直拉单晶的直径为63.5 mm规格，增加了直径200 mm直拉硅单晶及掺As单 晶的内容。 — 删去了原标准区熔单晶的直径为30 mm规格，增加了直径125 mm区熔硅单晶的内容。 — 根据国内外对直拉硅单晶要求的变化，对150 mm以下的硅单晶参数进行了修订。 — 增加了硅单晶的金属含量要求。 — 对重掺单晶的氧含量，基翻、基磷含量的要求及检测方法由供需双方协商的内容。 本标准应与GB/T 12964,GB/T 12965配套使用。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准由北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。 本标准主要起草人:孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: — GB/T 12962- 1991 — GB/T 12962- 1996 GB/T 12962- 2005 硅 单 晶 范围 1.

📚 References & Relations / 引用与关联

📖 Terms & Definitions / 术语和定义 ai_extracted

径向电阻率变化radial

resistivity variati on 晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的1/2处或靠 近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻 率梯度。

杂质条纹impurity

striation 晶体生长时，在旋转的固液交界面处发生周期性的温度起伏，引起晶体内杂质分布的周期性变化。 在晶体的横截面上，该变化呈同心圆或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化，也使电阻 率局部变化。择优腐蚀后，在放大1 500倍下观察，条纹是连续的。 1 GB/T 12962- 2005

，接杂heavy

doping 半导体材料中掺人的杂质量较多，通常杂质浓度大于loll cm-,，为重掺杂。